El grupo NANOELEC de la USAL se adhiere al consorcio estratégico nacional GIGaNTE, liderado por INDRA y financiado con más de 9M€, para fortalecer la capacidad tecnológica en áreas como defensa y telecomunicaciones
La USAL validará con su exclusivo software de simulación, Monte Carlo, la tecnología de Nitruro de Galio para fabricar dispositivos más eficientes, compactos y robustos en el marco del Programa Misiones de Ciencia e Innovación

La tecnología de Castilla y León otra vez en la punta de lanza de la vanguardia tecnológica nacional y europea. Ahora es la Universidad de Salamanca (USAL) la que representa a la comunidad en la vanguardia de la microelectrónica europea al integrarse en el proyecto nacional GIGaNTE, una alianza científica e industrial orientada a fortalecer las capacidades del país en el diseño y validación de tecnologías de semiconductores avanzados como el Nitruro de Galio (GaN), un innovador desarrollo que permitirá fabricar dispositivos electrónicos más eficientes, compactos y robustos que los obtenidos con la tecnología de silicio tradicional.
A través del grupo de investigación ‘Nanodispositivos electrónicos de alta frecuencia’ (NANOELEC), dirigido por el catedrático del Departamento de Física Aplicada Javier Mateos, la Universidad de Salamanca aportará al consorcio científico tecnológico, liderado por INDRA, su infraestructura de caracterización experimental y la exclusiva herramienta de simulación Monte Carlo.
GIGaNTE (Iniciativa de Investigación en Tecnologías de Nitruro de Galio y Tecnologías de Empaquetado Avanzado) es un proyecto enmarcado en el Programa Misiones de Ciencia e Innovación (PEICTII 2024-2027) y financiado por el CDTI con más de 9 millones de euros, de los que 340.000 € recaerán en la USAL.
En este sentido, la ejecución de la iniciativa se prolongará durante los próximos cuatro años, hasta 2029, con el fin de “desarrollar dispositivos basados en Nitruro de Galio que superen las limitaciones de eficiencia del silicio tradicional”, explica a Comunicación USAL Ignacio Íñiguez de la Torre, responsable del proyecto en la Universidad de Salamanca y miembro de NANOELEC.

Escudo tecnológico frente a la dependencia exterior
La Universidad de Salamanca participa como Organismo Público de Investigación (OPI) en el consorcio de excelencia encargado de la ejecución de GIGaNTE, con socios industriales de la talla de Televés, SPARC (III-V Semiconductor Foundry and Advanced Photonics Research Centre) y RBZ (Embedded Logics), además del respaldo científico de la Universidad de Vigo (UVigo) y la Universidad Politécnica de Madrid (UPM).
Los investigadores remarcan que el proyecto está orientado a desarrollar capacidades nacionales en el diseño y validación de dispositivos de radiofrecuencia usando transistores de GaN con un objetivo estratégico fundamental, “reducir la dependencia de mercados exteriores en componentes electrónicos clave y en áreas críticas como la defensa y las telecomunicaciones”.
Así, el proyecto es relevante “no solo porque el Nitruro de Galio mejorará de forma significativa estos sistemas, sino también porque, por primera vez, se podrá configurar en España una cadena de valor integral que abarque desde el diseño de dispositivos avanzados hasta su fabricación, integración y validación final”, apuntan.

Nitruro de Galio: la revolución que supera al silicio
El corazón de GIGaNTE es la tecnología de Nitruro de Galio, un material semiconductor que permite fabricar dispositivos “mucho más eficientes, compactos y robustos que los fabricados con la tecnología de silicio tradicional, especialmente en aplicaciones de alta potencia a alta frecuencia”. Los resultados tendrán aplicaciones directas en sistemas de radar de última generación, comunicaciones seguras y nuevas infraestructuras de telecomunicaciones de alta capacidad.
Durante el proceso, la contribución de la Universidad de Salamanca es clave en la caracterización y el modelado físico de los nuevos transistores de GaN. Los científicos salmantinos desarrollarán su actividad principalmente en el Laboratorio de Dispositivos de Radio frecuencia, ubicado en el Edificio Multiusos I+D+i, donde se validará experimentalmente “el comportamiento en oblea de los mismos en condiciones reales de operación, desde su respuesta en corriente continua hasta alta frecuencia”.
Para ello, el laboratorio dispone de una infraestructura científica de vanguardia: una estación de puntas criogénica única en Castilla y León, equipo que permitirá validar experimentalmente el comportamiento en oblea de los nuevos transistores en condiciones ambientales extremas, abarcando temperaturas de desde los 10 Kelvin (cercanas al cero absoluto) hasta los 500 Kelvin. La realización de medidas pulsadas permitirá también evaluar los efectos térmicos en los dispositivos durante su operación, una característica clave para la optimización de las aplicaciones de alta potencia.
Otro de los pilares técnicos aportados por el grupo de la USAL es su simulador Monte Carlo, un software exclusivo fruto de tres décadas de desarrollo propio. Esta potente herramienta permite estudiar con gran precisión la dinámica de los portadores de carga en los transistores. Una capacidad de modelado avanzado que resulta “fundamental para optimizar los diseños antes de su fabricación, reduciendo costes y tiempos de desarrollo”, subrayan al respecto.

Financiación, transferencia y especialización
Cabe destacar que esta investigación de primera línea tendrá un impacto directo en las aulas y en la docencia de la Universidad de Salamanca. Los conocimientos y avances técnicos derivados del proyecto GIGaNTE se incorporarán de inmediato al programa académico del Máster Universitario en Semiconductores y Tecnologías Electrónicas de la USAL, vinculado con el Grupo de investigación NANOELEC.
De este modo, los estudiantes de la USAL podrán formarse en un entorno de investigación real, adquiriendo las competencias de alta cualificación que actualmente demanda con urgencia la industria de los microchips a nivel europeo.
Por último, cabe recordar que la participación de la USAL en GIGaNTE se articula mediante contratos de transferencia (Art. 60 de la LOSU) por parte de INDRA y SPARC, lo que supondrá una inyección financiera cercana a los 340.000 euros para el periodo 2026-2029. Estos fondos se destinarán de forma directa a la contratación de personal investigador y a la modernización de los equipos del laboratorio de caracterización, “asegurando así que la Universidad mantenga su liderazgo y capacidad de respuesta ante los retos de la microelectrónica moderna”, concluyen.

Algunos datos sobre el Grupo de Investigación NANOELEC
NANOELEC ‘Nanodispositivos electrónicos de alta frecuencia’ es un Grupo de Investigación Reconocido perteneciente al Departamento de Física Aplicada de la Universidad de Salamanca. Trabaja en varias líneas de investigación en el campo de la nanoelectrónica y su actividad principal se centra en el modelado, simulación y caracterización eléctrica de materiales semiconductores y dispositivos micro y nanoelectrónicos de alta frecuencia basados en diferentes tecnologías.
El objetivo final de su actividad es el desarrollo de reglas de diseño para la fabricación de dispositivos optimizados con tecnologías mejoradas que abarquen los rangos de frecuencia de microondas y terahercios. Además, ofrecen servicios de caracterización eléctrica de dispositivos y circuitos de radiofrecuencia a otros grupos de investigación y empresas del sector electrónico.
Máster en Semiconductores y Tecnologías de Microelectrónica de la USAL
El Máster Universitario en Semiconductores y Tecnologías Electrónicas, impartido conjuntamente por la USAL y la UVA, ofrece formación avanzada sobre las propiedades físicas de los semiconductores y sus aplicaciones en tecnologías de última generación, así como sobre los aspectos tecnológicos de la fabricación de semiconductores, dispositivos y circuitos integrados a escalas micro y nanométrica.
Precisamente, el plazo de preinscripción en el Máster Universitario en Semiconductores y Tecnologías Electrónicas está ya abierto para el curso 2026-2027 y la preinscripción puede realizarse on-line en cualquiera de las dos universidades hasta el 15 de julio.






